ВИФШ
Высшая инженерно-физическая школа Институт электроники и телекоммуникаций
22 Декабря 2024 г. Нечетная неделя
ruРусский
Версия для слабовидящих
Результаты научной работы

Результаты научной работы

Студенты и сотрудники, занятые в научно-исследовательской работе (НИР), неоднократно получают денежные премии, гранты и дипломы за достижения в НИР:

  • Гранты и стипендии Президента и Правительства РФ
    1. Грант президента РФ для поддержки молодых кандидатов наук, 2016 г, Винниченко Максим Яковлевич.
    2. Грант президента РФ для поддержки молодых кандидатов наук, 2016 г, Софронов Антон Николаевич.
    3. Стипендия президента РФ для аспирантов, 2017-2018 гг, Махов Иван Сергеевич..
    4. Стипендия президента РФ для аспирантов, 2016-2017 гг, Махов Иван Сергеевич..
    5. Стипендия президента РФ для студентов, 2014-2015 гг, Елистратова Марина Анатольевна..
    6. Стипендия президента РФ для студентов, 2014-2015 гг, Махов Иван Сергеевич..
    7. Стипендия правительства РФ для студентов, 2012-2013 гг, Рыбалко Дмитрий Александрович .
    8. Стипендия президента РФ для студентов, 2012-2013 гг, Машко Марина Олеговна.
    9. Грант президента РФ для поддержки молодых кандидатов наук, 2013 г, Софронов Антон Николаевич.
    10. Грант президента РФ для поддержки молодых кандидатов наук, 2012 г, Мартынова Ольга Александровна.
    11. Стипендия правительства РФ для аспирантов, 2011-2012 гг, Винниченко Максим Яковлевич.
    12. Стипендия правительства РФ для аспирантов, 2011-2012 гг, Мелентьев Григорий Александрович .
    13. Стипендия президента РФ для студентов, 2011-2012 гг, Балагула Роман Михайлович .
    14. Стипендия президента РФ для студентов, 2011-2012 гг, Туманов Дмитрий Сергеевич.
  • Гранты Правительства Санкт-Петербурга

    Гранты Правительства Санкт-Петербурга , полученные студентами, аспирантами и молодыми сотрудниками. За последние 7 лет:

    1. Победитель конкурса на соискание премий Правительства Санкт - Петербурга в области научно-педагогической деятельности, Винниченко Максим Яковлевич 2017.
    2. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Махов Иван Сергеевич 2017.
    3. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Винниченко Максим Яковлевич 2017.
    4. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Мартынова Ольга Александровна 2016.
    5. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Винниченко Максим Яковлевич 2016.
    6. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Елистратова Марина Анатольевна 2015, ПСП №15415.
    7. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Рыбалко Дмитрий Александрович 2015.
    8. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Мартынова Ольга Александровна 2015.
    9. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Зиминов Виктор Михайлович 2014.
    10. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Паневин Вадим Юрьевич 2012, ПСП №12481.
    11. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Машко Марина Олеговна 2012, ПСП №12224.
    12. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Мартынова Ольга Александровна 2012, ПСП №12611.
    13. Правительство Санкт - Петербурга и С. - Петербургский научный центр РАН, Премия Правительства С. - Петербурга и С. - Петербургского научного центра РАН за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в номинации "физика и астрономия" - премия имени А.Ф.Иоффе. Вручена профессору < Воробьеву Леониду Евгеньевичу, 2011
    14. Стипендия правительства Санкт-Петербурга для студентов, Туманов Дмитрий Сергеевич 2012-2013 гг., ПСП №13263.
    15. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Паневин Вадим Юрьевич 2011, ПСП №11411.
    16. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Винниченко Максим Яковлевич 2011, ПСП №11091.
    17. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Мелентьев Григорий Александрович 2011, ПСП №11356.
    18. Победитель конкурса грантов Санкт - Петербурга для студентов, аспирантов, молодых ученых, молодых кандидатов наук, Софронов Антон Николаевич 2011, ПСП №1 1546.
Воробьев Л.Е.
Софронов А.Н., Паневин В.Ю., Мелентьев Г.А.
  • РФФИ

    Гранты Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ ), полученные студентами, аспирантами и сотрудниками. За последние 5 лет:

    1. Оптические явления в III-N наноструктурах в терагерцовом спектральном диапазоне. 2018-2020 гг. № 18-02-00848.
    2. Терагерцовая люминесценция в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке. 2018-2019 гг. № 18-32-00122.
    3. Взаимодействие терагерцового излучения с поверхностными плазмон-поляритонами в микроструктурах на основе GaAs. 2018-2019 гг. № 18-32-00260.
    4. Эмиссия излучения терагерцового диапазона из полупроводниковых микро- и наноструктур. 2016-2018 гг. № 16-32-60085.
    5. Поглощение и эмиссия излучения инфракрасного и терагерцового диапазонов в микро- и наноструктурах в сильных электрических полях. 2016-2018 гг. № 16-02-00863.
    6. Источник излучения среднего инфракрасного диапазона на неравновесных оптических фононах. 2016 г. № 16-32-80036.
    7. Оптические свойства гетероструктур GeSiSn с квантовыми ямами, сформированных на подложках Si. 2016 г. № 16-32-50115.
    8. Проект организации и проведения 18 Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 2016 г. № 16-32-10244.
    9. Исследование и разработка физико-технологических основ создания наногетероструктур и одномодовых кристаллов квантово-каскадных лазеров среднего ИК-диапазона. 2016-2018 г. № 16-29-03289.
    10. Двулучепреломление и поглощение света при межподзонных переходах горячих электронов в двойных квантовых ямах в сильных электрических полях. 2014-2016 гг. № 14-02-00336.
    11. Проект организации и проведения всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 2016 г. № 15-32-10297.
    12. Высокочастотные и оптические явления в гибридных плазмонных структурах на основе полупроводниковых соединений А3В5. 2014-2015 гг. № 14-02-90444.
    13. Поглощение излучения среднего ИК-диапазона при межподзонных переходах электронов в туннельно-связанных квантовых ямах в поперечном электрическом поле. 2014-2015 гг. № 14-02-31489.
    14. Исследование взаимодействия излучения инфракрасного диапазона с наноструктурами второго типа для приборов оптоэлектроники. 2013-2015 гг. № 13-02-12203 офи_м.
    15. Проект организации и проведения 16-й всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. 2014 г. № 14-32-10042.
    16. Оптические свойства нано- и микроструктур в средней ИК и тсрагсрцовои областях спектра при внутризонных переходах носителей заряда. 2012-2014 гг. № 12-02-01155-а.
    17. Оптические явления, связанные с акцепторными центрами в структурах с квантовыми ямами. 2012-2013 гг. №12-02-31034 мол_а.
    18. Люминесценция терагерцового и среднего инфракрасного диапазонов из нано- и микроструктур, связанная с внутри- и межзонными оптическими переходами неравновесных электронов. 2011-2013 гг. № 11-02-01128-а.
  • УМНИК

    Гранты программы "Участник молодежного научно-инновационного конкурса" ("УМНИК "), полученные студентами и аспирантами. За последние 7 лет:

    1. Разработка источников терагерцового излучения на основе микро - и наноструктур с электрической накачкой, Балагула Роман Михайлович 2013-2014 гг.
    2. Получение слоев GaN с пониженной плотностью дислокаций методом аммиачной молекулярно лучевой эпитаксии, Вороненков Владислав Валерьевич 2012-2013 гг
    3. Разработка органико- неорганического тонкопленочного объемного гетероперехода для реализации в солнечных элементах, отличающегося высокими выпрямительными свойствами, Зиминов Виктор Михайлович 2012-2013 гг.
    4. Разработка солнечных элементов на гетероструктурах Si/CdTe для приборов оптоэлектроники, Полухин Иван Сергеевич 2011-2012 гг.
    5. Разработка мощных терагерцовых эмиттеров излучения, Мелентьев Григорий Александрович 2009-2010 гг.
    6. Анализ физических процессов в лазерных структурах и разработка лазеров среднего ИК диапазона с рекордными характеристиками, Винниченко Максим Яковлевич 2010-2011 гг.
  • Федеральная целевая программа "Кадры"

    Гранты Федеральной целевой программы "Научные и научно-псдагогичсскис кадры инновационной России"http://www.fcpk.ru/ , в которых принимали участие студенты, аспиранты и сотрудники за последние 7 лет:

    1. Фотоэлектрические и оптические свойства кристаллических наноструктур на основе полупроводников Ge/Si и A3B5 в среднем инфракрасном диапазоне спектра. 2012-2013 гг. Г/к 14.132.21.1408
    2. Исследование кинетических и оптических явлений в наноматсриалах с целью создания новых источников терагерцового излучения. 2011-2013 гг. Г/к 14.740.11.1075.
    3. Исследование физических явлений в полупроводниковых наноматсриалах с контролируемыми параметрами для оптоэлектроники среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра. 2010-2012 гг. Г/к П550.
    4. Наноматериалы и наноструктуры для источников и детекторов излучения среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов. 2010-2011 гг., Г/к П284.
    5. Оптические и фотоэлектрические свойства наноматериалов в дальнем и среднем инфракрасном диапазонах спектра. 2010-2011 гг., Г/к 14.740.11.0477.
    6. Электронный транспорт со сложным строением энергетического спектра: комплексное экспериментальное исследование и развитие новых методов анализа. 2010-2011 гг., Г/к
    7. Организационно-техническое обеспечение проведения Всероссийской молодежной конференции с элементами научной школы по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 2011-2011 гг., Г/к 14.741.12.027.
  • Государственное задание Минобрнауки России
    1. Проектная часть (конкурсная) Государственного задания Министерства образования и науки России "Взаимодействие излучения терагерцового диапазона с легированными нано- и микроструктурами" проект № 3.933.2017/ПЧ (2017-2019).
    2. Государственное задание Министерства образования и науки России для научно-технических сотрудников на постоянной основе 3.5518.2017/7.8 (2017-2019).
    3. Государственное задание Министерства образования и науки России для научно-технических сотрудников на постоянной основе 3.6153.2017/7.8 (2017-2019).
    4. Базовая часть Государственного задания Министерства образования и науки России "Наноструктуры с регулируемыми свойствами для создания новых конкурентоспособных устройств твердотельной и эмиссионной электроники", проект № 521 (013424401), (2014-2016).
    5. Проектная часть (конкурсная) Государственного задания Министерства образования и науки России " Взаимодействие излучения терагерцового и среднего инфракрасного диапазонов с полупроводниковыми микроструктурами в сильных электрических полях" проект № 3.1341.2014/K (2014-2016).
  • Постановление Правительства РФ №218

    Гранты по Постановлению Правительства России от 9 апреля 2010 г. N 218 "О мерах государственной поддержки развития кооперации российских высших учебных заведений и организаций, реализующих комплексные проекты по созданию высокотехнологичного производства, в которых принимают участие студенты, аспиранты и сотрудники:

    1. Разработка лечебно-диагностического стоматологического лазерного комплекса. 2013-2015. № 02.G25.31.0064.
    2. Разработка и организация серийного производства высокотехнологичного комплекса для диагностики, профилактики и лечения онкологических заболеваний различных локализаций методом фотодинамической терапии. 2010-2012. № 13.G25.31.0055.

Высокие достижения в научно-исследовательской работе подтверждаются не только грантами, дипломами, премиями, но и патентами, хоз.договорами с промышленными предприятиями

  • По результатам научно-исследовательской деятельности изобретают и патентуют полупроводниковые устройства. За последние 5 лет

    Патенты РФ:

    Международные патенты:

      1. Патент на изобретение "СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР, ОСНОВАННЫЙ НА КЛОНИРОВАНИИ ИСХОДНЫХ ПОДЛОЖЕК (ВАРИАНТЫ)" Шретер Юрий Георгиевич, Ребане Юрий Тоомасович, Миронов Алексей Владимирович №2546858 от 10.04.2015 г.
      2. Патент на изобретение " СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ НИТРИДА ТРЕТЬЕЙ ГРУППЫ НА РОСТОВОЙ ПОДЛОЖКЕ" Шретер Юрий Георгиевич, Ребане Юрий Тоомасович, Миронов Алексей Владимирович № 2543212 от 27.02.2015 г.
      3. Патент на изобретение "Устройство для флуоресцентной диагностики злокачественных новообразований", авторы: Тер - Мартиросян А.Л., Гельфонд М.Л., Дремов С.С, Софронов А.Н. № 144614 от 27.08.2014 г.
      4. Заявка на изобретение "Способ флуоресцентной диагностики злокачественных новообразований", авторы: Тер - Мартиросян А.Л., Гельфонд М.Л., Дремов С.С, Софронов А.Н. №2013120023 от 10.11.2014г.
      5. Патент на изобретение " СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО" Шретер Юрий Георгиевич, Ребане Юрий Тоомасович, Миронов Алексей Владимирович № 2494498 от 27.09.2013 г..
      6. Патент на изобретение " СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ОТДЕЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ИЛИ СЛОЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ОТ РОСТОВОЙ ПОДЛОЖКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ)" Шретер Юрий Георгиевич, Ребане Юрий Тоомасович, Миронов Алексей Владимирович № 2469433 от 10.12.2012 г.
      7. Патент на изобретение " СПОСОБ ОТДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ)" Шретер Юрий Георгиевич, Ребане Юрий Тоомасович, Миронов Алексей Владимирович № 2459691 от 27.08.2012 г.
      8. Патент на полезную модель "Устройство для формирования смесителя мод", авторы: Демидов Д.М., Тер - Мартиросян А. Л., Софронов А.Н. №117189 от 20.06.2012 г.
      1. Shreter, Yuri Georgievich, Yuri Toomasovich Rebane, and Aleksey Vladimirovich Mironov. "Light-emitting device with heterophase boundaries." U.S. Patent No. 8,901,600. 2 Dec. 2014.
      2. Shreter, Yuri Georgievich, Yuri Toomasovich Rebane, and Aleksey Vladimirovich Mironov. "Method of Laser Separation of the Epitaxial Film or of the Epitaxial Film Layer from the Growth Substrate of the Epitaxial Semiconductor Structure (Variations)." U.S. Patent Application 14/129,594 (2012).