Область научных интересов:
полупроводниковые материалы и наноструктуры (методы получения, исследования свойств, приборы на их основе), нанофотоника

• Образование
  2003-2008 Санкт-Петербургский Политехнический университет. Бакалавриат (диплом с отличием)
  
  2008-2009 Академический физико-технологический университет РАН. Магистр (диплом с отличием)
  Специальность: электроника и микроэлектроника Квалификация: магистр техники и технологии

• Послевузовское профессиональное образование
  2012 г: кандидатская диссертация «Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики»;
  дис. совет при СПб АУ НОЦНТ РАН к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков.
  
  Диплом ДКН № 179769 от 10.03.2013. 2019 г: докторская диссертация «Комбинированные методы создания и исследования функциональных наноструктур для нанофотоники и наномеханики»;
  дис. совет при СПб АУ НОЦНТ РАН к.ф.-м.н., научная специальность 01.04.01 – Приборы и методы экспериментальной физики.