Молдавская Мария Давидовна
  • Биография
  • Публикации
  • 1992 г. окончила физический факультет Нижегородского государственного университета по специальности инженер-физик.
  • С 1992 по 2000 гг. работала в Институте физики микроструктур РАН в Нижнем Новгороде.
  • В 2000 г. защитила кандидатскую диссертацию по теме "Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi".
  • В настоящее время является сотрудником учебно-научной лаборатории «Оптика неравновесных электронов».
  • Основные научные интересы
    1. Оптические явления и неравновесные носители заряда в полупроводниках и наноструктурах
    2. Разработка новых оптоэлектронных приборов (источников и детекторов излучения) среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра

    Трудно представить современную физику твердого тела без полупроводниковых лазеров. Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур, квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек, являются сегодня предметом исследований большого числа исследовательских групп в области физики полупроводников. Их широкое использование в телекоммуникационных системах, спектроскопии, экологическом мониторинге, медицине определяет актуальность исследования процессов рекомбинации и разогрева носителей заряда в квантовых ямах. Для оптимизации параметров полупроводниковых лазеров важно понять, какие процессы влияют на время жизни и рекомбинацию неравновесных носителей заряда. Кроме этого, исследование указанных процессов интересно и с физической точки зрения: оно расширяет наши знания о физике наноматериалов, процессах взаимодействия фононной и электронной систем в условиях размерного квантования.

    Создание новых источников излучения терагерцового диапазона – актуальная задача полупроводниковой оптоэлектроники. Для практических применений наиболее удобны источники излучения с электрическим возбуждением. В связи с этим ставится задача исследования различных механизмов эмиссии терагерцового излучения из полупроводниковых микро- и наноструктур в электрическом поле. Одним из перспективных направлений в этой области является использование оптических переходов горячих (неравновесных) электронов между примесными состояниями в полупроводниках.

  1. Adamov R.B. et.al., Optical performance of two dimensional electron gas and gan:С buffer layers in algan/aln/gan heterostructures on sic substrate Applied Sciences , 2021, 11(13), 6053.
  2. Shalygin, V.A. et.al. Far-infrared spectroscopy of folded transverse acoustic phonons in 4H-SiC Applied Physics Letters, 2020, 117(20), 202105Adamov R.B. et.al., Optical performance of two dimensional electron gas and gan:С buffer layers in algan/aln/gan heterostructures on sic substrate Applied Sciences , 2021, 11(13), 6053.
  3. Shalygin, V.A. et.al. Far-infrared spectroscopy of folded transverse acoustic phonons in 4H-SiC Applied Physics Letters, 2020, 117(20), 202105
  4. V.A. Shalygin et.al.  Selective terahertz emission due to electrically excited 2D plasmons in AlGaN/GaN heterostructure. Journal of Applied Physics 126(18) 183104 (2019).
  5. V.A. Shalygin et.al.  Interaction of surface plasmon-phonon polaritons with terahertz radiation in heavily doped GaAs epilayers. Journal of Physics Condensed Matter 31(10) 105002 (2019).
  6. Shalygin, V.A., Moldavskaya, M.D., Danilov, S.N., Farbshtein, I.I., Golub, L.E.Circular photon drag effect in bulk tellurium.Physical Review B 93(4) 045207 (2016).
  7. V.Y. Aleshkin et. al.Shallow acceptors in Ge/GeSi multi-quantum well heterostructures. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 7(3) 608-611 (2000).