Учёные ВИФШ приняли участие в 55-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами в Москве

Делегация сотрудников лаборатории физики взаимодействия излучения с веществом  представили актуальные результаты исследований по основным направлениям деятельности лаборатории.

А вот и несколько устных докладов:

• Карасев Платон Александрович (профессор ВИФШ ИЭиТ, д.ф.-м.н.), "Фрактальность каскадов смещений в Ga2O3"
• Подсвиров Олег Алексеевич (профессор ВИФШ ИЭиТ, д.ф.-м.н.),"Формирование слоевой структуры наночастиц серебра в стекле с пленкой серебра на поверхности после облучения электронами большой плотности и энергией 20 кэВ"
• Соколова Дарья Арнольдовна (ассистент, аспирант ВИФШ ИЭиТ),"Феноменологическое описание формирования немонотонного распределения наночастиц серебра в стекле после электронного облучения"
• Студзинский Виталий Михайлович (лаборант-исследователь, аспирант ВИФШ ИЭиТ, ассистент КФ ИФиМ), "Изменение морфологии тонкого слоя золота на NiO при облучении ионами средних энергий" - Диплом за лучший устный доклад!
•  Федоренко Елизавета Дмитриевна (инженер, аспирант ВИФШ ИЭиТ, ассистент КФ ИФиМ), "Деградация электропроводности оксида галлия при облучении легкими ионами МэВных энергий"
• Карасев Кирилл Платонович (лаборант ВИФШ ИЭиТ), "Влияние угла падения ионов С60 на модификацию поверхности кремния"

Стендовые доклады:

• Клевцов Антон Игоревич (аспирант ВИФШ ИЭиТ, ассистент КФ ИФиМ), "Особенности накопления дефектов в α-Ga2O3 при облучении легкими ионами"
• Скрипов Игорь Николаевич (аспирант ВИФШ ИЭиТ), "Моделирование точечных дефектов в Ga2O3"
• Терещенкова Мария Сергеевна (аспирант ВИФШ ИЭиТ), "Влияние облучения кластерными и атомарными ионами аргона на поверхность монокристаллического кварца" - Диплом за лучший стендовый доклад
• Соколова Дарья Арнольдовна (ассистент, аспирант ВИФШ ИЭиТ), "Один из аспектов волновых (фононных) колебаний кристаллической решётки"

Поздравляем наших коллег и желаем, чтобы научный состав становился все больше и больше!