Учёные ВИФШ приняли участие в 54-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами в Москве

13 Июня 2025
36
Учёные ВИФШ приняли участие в 54-й международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами в Москве

Сотрудники ВИФШ приняли участие в «54-й Международной Тулиновской конференции по «Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами», которая проходила в стенах Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова с 27 по 29 мая. Эта конференция является одним из традиционных форумов для обсуждения вопросов физики взаимодействия ускоренных ионов с поверхностью и наноструктурами, применения ионных технологий. В работе конференции принимали участие ученые из России, Белоруссии, Азербайджана, Узбекистана, Казахстана, Египта. Проф. П.А.Карасев является членом программного комитета конференции. В этот раз он выступал в качестве председателя одного из заседаний, активно участвовал в проведении конференции и обсуждении результатов представляемых докладов.

Делегация сотрудников лаборатории физики взаимодействия излучения с веществом в составе магистра Карасева К.П., аспирантов Клевцова А.И., Федоренко Е.Д. и Студзинского В.М. а так же профессоров Карасева П.А и Подсвирова О.А. представили актуальные результаты исследований по основным направлениям деятельности лаборатории. Все доклады вызвали большой интерес слушателей.

Карасев К.П. выступил с устным докладом о формировании переходного слоя при облучении кремния ионами С60 Были представлены результаты эксперимента и моделирования методом молекулярной динамики. Доклад удостоен награды  в конкурсе молодых учёных! Таким образом, Кирилл Карасев продолжил начинание асп. Виталия Студзинского который получал эту награду в 2024 году.

Работы Клевцова А.И. "Особенности дефектообразования в альфа-оксиде галлия при имплантации ионов разных масс" и Федоренко Е.Д. "Исследования электрических и радиационных свойств контактов металл – альфа оксид галлия"  посвящены вопросам ионного воздействия на новый материал для электронной техники – оксид галлия. Исследованы вопросы накопления дефектов в α-Ga2O3, характеристик контактных барьеров различных металлов, а также влияния бомбардировки ионами He на структурные и электрические свойства в α-Ga2O3 с металлизированными контактами Ti/Au.

В докладе Студзинского В.М. "Применение анализа фрактальной размерности к наноструктурам золота, получаемым ионной бомбардировкой" были представлены особенности формирования наночастиц из плёнок золота толщиной порядка единиц нанометров облучением ионами P, PF4 и Ta.

 Подсвиров О.А. рассказал о "Формировании металлических молекулярных кластеров в силикатных стеклах с помощью электронного облучения". Эксперименты показали, что электронное облучение приводит к изменению оптического поглощения в зависимости от режима облучения, что обусловлено формированием молекулярных кластеров металлов.

Кроме насыщенной научной программы, участники посетили ботанический сад МГУ и насладились панорамными видами Москвы с верхних этажей главного здания МГУ им. М.В.Ломоносова.

Поздравляем нашу команду с успешным выступлением и желаем новых научных достижений!

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: