Версия для слабовидящих
Высшая инженерно-физическая школа Институт электроники и телекоммуникаций
19 Июня 2025 г. Четная неделя
Версия для слабовидящих
11.03.04 Электроника и наноэлектроника

11.03.04 Электроника и наноэлектроника

11.03.04 Электроника и наноэлектроника

11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»

О программе:

Срок обучения – 4 года. Форма обучения – очная (бюджет, контракт). Студенты получают знания и навыки самостоятельной научно-исследовательской работы и их практических приложений в опто- и наноэлектронике. Тематика научных работ: исследования физических свойств полупроводниковых материалов наноэлектроники с уникаль-ными свойствами: наноструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками, нанокомпозитов, углеродных наноструктур; разработка физи-ческих основ новых оптоэлектронных приборов видимого, инфракрас-ного и терагерцового диапазонов спектра, моделирование физических процессов в полупроводниковых наноструктурах

Варианты обучения:

Очная форма

Бюджет/контракт

  • Профильные дисциплины
    1. Физика конденсированного состояния;
    2. Основы технологии электронной компонентной базы;
    3. Физические свойства кристаллов;
    4. Твердотельная электроника;
    5. Физика полупроводников и наноразмерных структур;
    6. Квантовая механика;
    7. Материаловедение;
    8. Фотоэлектрические явления в полупроводниках;
    9. Наноэлектроника.
  • Примеры тем выпускных работ
    1. Оптические свойства структур AlGaN/GaN/Al2O3 в терагерцовом диа-пазоне частот;
    2. Фотолюминесценция квантовых ям GaAs/AlGaAs с примесью кремния;
    3. Особенности статистики носителей заряда в микролазерах;
    4. Оптическое возбуждение неравновесных носителей заряда в структурах для инжекционных лазеров на основе квантовых ям InGaAsSb/AlGaAsSb;
    5. Влияние условий синтеза и дополнительной обработки на электронный транспорт в CVD-графене;
    6. Пикосекундное переключение высоковольтных карбид-кремниевых диодов в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя;
    7. Исследование структуры и электрических свойств гетероструктур p-CdXZn1-XTe/n-Si, полученных методом вакуумной эпитаксии пленок твердых растворов на кремниевые подложки;
    8. Создание и исследование фотодиодов для среднего ИК диапазона;
    9. Люминесцентная спектроскопия углеродных наноточек;
    10. Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию углеродных нано-композитных материалов;
    11. Многочастичные эффекты в спектрах оптического поглощения кванто-вых точек Ge/Si в терагерцовом диапазоне.
  • Наиболее значимые научно-исследовательские проекты
    1. Взаимодействие излучения терагерцового диапазона с легированными нано- и микроструктурами;
    2. Поглощение и эмиссия излучения инфракрасного и терагерцового диа-пазонов в микро- и наноструктурах в сильных электрических полях;
    3. Исследование оптических явлений в узкозонных полупроводниковых структурах для оптоэлектронных приборов среднего инфракрасного диапазона;
    4. Эмиссия излучения терагерцового диапазона из полупроводниковых микро- и наноструктур;
    5. Внутризонные оптические явления в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками.
    Детальнее смотри в разделе ”Научные группы” или ”Результаты научной работы”.
  • Научные лаборатории
    НОЦ Оптическая, терагерцовая и инфракрасная лазерная спектроскопия;
    Лаборатории ФТИ им. А.Ф.Иоффе