Лаборатория «Технология GaN для светодиодов»

Руководитель направления:

Научный коллектив:

  • аспирант Коготков В.С.
  • аспирант Вирко М.В.

Основными направлениями исследований являются:

  1. Получение GaN подложек HVPE методом
  2. Исследование дислокаций и дефектов упаковки в GaN

Цель исследований:

  • Эпитаксиальный рост толстых слоёв GaN для подложек на базе которых создаются светодиоды и лазеры видимого и ультрафиолетового диапазонов спектра .
  • Избранные публикации группы
 Установка роста GaN
Микрофотография поверхности GaN
Фотография поверхности GaN
Выращенные пластины GaN
 Электролюминесценция GaN

Сообщить автору об опечатке:

Адрес страницы с ошибкой:

Текст с ошибкой:

Ваш комментарий или корректная версия: